- 您现在的位置：买卖IC网 > Sheet目录381 > 3LN01C-TB-H (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP
3LN01C
1.0
7
5
3
2
IS -- VSD
VGS=0V
1000
7
5
3
2
SW Time -- ID
td(off)
VDD=15V
VGS=4V
tf
0.1
100
7
5
3
2
0.01
7
5
3
2
10
tr
td(on)
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
0.01
2
3
5
7
0.1
2
Diode Forward Voltage, VSD -- V
IT00037
Drain Current, ID -- A
IT00038
100
7
5
Ciss, Coss, Crss -- VDS
f=1MHz
10
9
VDS=10V
ID=150mA
VGS -- Qg
8
3
7
2
6
10
Ciss
5
7
5
3
2
1.0
Coss
Crss
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.30
Drain to Source Voltage, VDS -- V
PD -- Ta
IT00039
Total Gate Charge, Qg -- nC
IT00040
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT00041
No.6260-4/6
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。
相关PDF资料
3LN01S-TL-E
MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP
3LP01C-TB-H
MOSFET P-CH 30V 100MA CP
3LP01M-TL-H
MOSFET P-CH 30V 100MA MCP
3LP01SS-TL-H
MOSFET P-CH 30V 400MA SMCP
4010-KFOBDEV-434
KIT DEV SI4010 SI4355 RX 434MHZ
4021-CW
4021 ELARA MOON MODULE WHT
404R5KL1.0
POSITION SENSOR LIN 5K OHM
4140-00
EVAL KIT FOR 4140
相关代理商/技术参数
3LN01M
制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
3LN01M_06
制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
3LN01M-AL3-R
制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:N CHANNEL SILICON MOSFET GENERAL-PURPOSE SWITCHING DEVICE APPLICATIONS
3LN01MG-AL3-R
制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:N CHANNEL SILICON MOSFET GENERAL-PURPOSE SWITCHING DEVICE APPLICATIONS
3LN01ML-AL3-R
制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:N CHANNEL SILICON MOSFET GENERAL-PURPOSE SWITCHING DEVICE APPLICATIONS
3LN01M-TL-E
功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
3LN01M-TL-H
功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE
RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
3LN01N
制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述: